ASC800N1200HPD

分类:1200V 2087 0

规格参数

品牌:AST

Model Name:ASC600N1200HPD

Package:HPD

Voltage:1200V

Ron:2.5mohm

Temperature Range:-40~150°C

Status:Product


样品申请询价技术咨询在线咨询

模块特性

最高结温175℃

正温度系数

氮化铝绝缘基板

直接水冷散热

集成负温度系数传感器

2.5KV绝缘电压

Features

• High Temperature, Humidity, and Bias Operation
• Ultra Low Loss <10nH
• High-Frequency Operation
• Zero Turn-off Tail Current from MOSFET
• Normally-off, Fail-safe Device Operation
• Ease of Paralleling
• Cu Baseplate and Silicon Nitride Insulator

System Benefits

• Enables Compact, Lightweight, Efficient Systems
• Harsh Outdoor Environment Installation
• Mitigates Over-voltage Protection
• Reduced Thermal Requirements
• Reduced System Cost


样品申请询价技术咨询在线订购

  • 碳化硅功率模块SIC mosfet Power module ASC1000N1200MD3 1200V电机控制

    规格参数 品牌:AST Model Name:ASC1000N1200MD3 Package:DW3C Voltage:1200V Ron:1.7mohm Temperature Range:-40~150°C Status:Product 样品申请询...

  • HPD碳化硅模块特点

    亿伟世科技提供以SiC为核心的功率转换解决方案, 适用于:新能源汽车及充电桩、新能源发电、工业电源、PD快充等领域。  HPD碳化硅模块特点 1. A...

  • MEK6碳化硅模块特点

    MEK6碳化硅模块特点 1. 最高工作结温175℃; 2. 高功率密度,低开关损耗; 3. 适用高温、高频应用; 4.  参数表现:  – VDS:650~1700V  – ID:10...

  • MEP碳化硅模块特点

    MEP碳化硅模块特点 1. 采用先进的真空回流焊工艺,Al2O3绝缘陶瓷,最高工作结温150℃; 2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗; 3. 适用高温、高频应用...

  • MED碳化硅模块特点

    MED碳化硅模块特点 1. 采用真空回流焊工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷,最高工作结温175℃; 2. 功率密度高,适用高温、高频应用,超低损耗; 3. ...

  • MD3碳化硅模块特点

    MD3碳化硅模块特点 1. 采用真空回流焊工艺,AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷,最高工作结温175℃; 2. 第三代模块寄生电感低于10nH,比现有模块小50%以上,降低开...

  • EP碳化硅模块特点

    EP碳化硅模块特点 1. 采用先进的真空回流焊工艺,Al2O3绝缘陶瓷,最高工作结温150℃; 2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗; 3. 适用高温、高频应用; 4. ...

  • DCS12碳化硅模块特点

    DCS12碳化硅模块特点 1. 采用单面水冷+模封工艺,最高工作结温175℃; 2. 功率密度高,适用高温、高频应用,超低损耗; 3. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;...

  • D21碳化硅模块特点

    D21碳化硅模块特点 1. 系统体积小,成本降低 2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗; 3. 散热能力强。 Product SKU VDS RDS(on) @25℃ ID Status Datash...

  • 62mm碳化硅模块特点

    62mm碳化硅模块特点 1. 采用全焊片工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷; 2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗; 3. 适用高温、高频应用; 4. 参数表现: &...

标签:SiC MOSFETSiCMOS 上一篇: 下一篇:
展开更多
免费申请样品

loading...

购物车

X

浏览足迹

X