碳化硅SIC _ 深圳市亿伟世科技 _ Page 3

高功率器件理想材料碳化硅（SiC）

2022/02/19 1308

碳化硅（SiC）是高功率器件理想材料 硅是半导体行业第一代基础材料，目前全球95%以上的集成电路元器件是以硅为衬底制造的。目前，随着电动汽车、5G等应用的发展，高功率、耐高压、高频率器件需求快速增长。 ...

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SiC功率半导体器件优势

2022/02/19 2171

  第三代半导体，由于在物理结构上具有能级禁带宽的特点，又称为宽禁带半导体，主要是以氮化镓和碳化硅为代表，其在半导体性能特征上与第一代的硅、第二代的砷化镓有所区别，使得其能够具备高禁带宽度、...

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碳化硅芯片原来是这样制造！

2022/02/17 2540

碳化硅芯片怎么制造？ 宽禁带半导体材料开启新时代 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等...

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碳化硅SIC MOSFET替代传统MOSFET及IGBT的优点

2022/02/16 2115

碳化硅MOS优点：高频高效，高耐压，高可靠性。 可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。   相对应于传统MOSFET以及IGBT有以下优点： 1：高工作频率：传统MOSFET工作频率在60KHZ左右，而碳化硅MOSFE...

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第三代半导体材料碳化硅（SIC）MOSFET

2022/02/16 1283

二十一世纪以来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。 特点 第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子...

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碳化硅SiC材料有哪些优秀的性能表现？

2022/02/16 2364

上世纪四五十年代，以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展，硅材料的制备与工艺日臻完美，Si基器件的设计和开发也经过了多次迭代和优化，正在逐渐接近硅材料的极限...

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碳化硅SIC MOSFET有哪些优势？

2022/02/16 1958

下面我们通过实际测试数据来直观感受一下SiC 的优势。 1）开关损耗 图2是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 与CoolSiC™ MOSFET (IMW120R045M1) 在同一平台下进行开关损耗的对比测试结果。母线电压800V, 驱动电...

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碳化硅 SiC MOSFET 发展历程

2022/02/16 1635

        碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高，碳化硅的主要用途是...

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爱仕特碳化硅SiC MOS芯片特性介绍

2022/02/11 1754

爱仕特碳化硅芯片特性介绍： SiC MOS芯片 全系列采用6英寸晶圆量产 最高耐压3300V 最低内阻15毫欧 高雪崩耐量，100% UIS测试 满足车规级要求：按照AEC-Q101标准测试 1.sic  4 寸晶圆 2.sic...

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