使用最新的碳化硅SiC MSOFET技术提升车载充电器性能
1509简介 碳化硅FET已经广泛应用于纯电动车(EV)的车载充电器(OBC)和直流转换器。它们在牵引逆变器中的使用也快速增长。由于开关速度比IGBT快得多,它们成为了系统总线电压超过500 V(如800 V)时的首选器件。在系...
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简介 碳化硅FET已经广泛应用于纯电动车(EV)的车载充电器(OBC)和直流转换器。它们在牵引逆变器中的使用也快速增长。由于开关速度比IGBT快得多,它们成为了系统总线电压超过500 V(如800 V)时的首选器件。在系...
查看全文近年来,因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动,碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度,更好的温度特性使得系统损耗大幅降低,效率提升,体积减小,从而实现变换器的高效高功率密...
查看全文目前,在实现“绿色能源”的新技术革命中,众多高频开关电源已经开始实现高功率因数校正技术(特别是在通信电源中),其中采用有源功率因数校正的居多。连续导电模式Boost变换器是电源系统中应用较广的功率因数校正...
查看全文1.引 言 作为第三代功率半导体的绝代双骄,氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界,特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体,是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点,如图1...
查看全文如果说在2020年,GaN(氮化镓)凭借着向手机快充市场的渗透火了一把,成为当年宽禁带(WBG)半导体界的“网红”,到了2021年,市场的焦点则转到了另一个宽禁带半导体“新宠”SiC(碳化硅)身上,这是因为从特斯拉这种...
查看全文【导读】几十年来,硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来,提供独特的优势和卓越的特性。例如,有了化合物半导体,我们开发出了发光二极管(LED)。一...
查看全文传统上在高压功率晶体的设计中,采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻,必须采用超级结技术(superjunction),利用电荷补偿的方式使磊晶层(Epitaxial layer)内的垂直电场分布均匀,有效减少磊晶层厚度及其造...
查看全文同样位于元素周期表第四栏的元素,硅(Si),锗(Ge)都是被最早用于半导体材料的元素,而碳元素(C)却不是。 碳元素在石墨结构下是导体,而在金刚石结构下,由于共价键跃迁能带比较大,是绝缘体。同样是金刚石结构的...
查看全文小结: SiC MOSFET技术的不断发展,不仅带来产品性能和可靠性的提升,也促进了芯片成本的降低,市场规模因此而快速增加。瑞能半导体始终坚持技术推动产品竞争力,为客户提供高性能高可靠性的SiC MOSFET产品。 正...
查看全文【什么是碳化硅?】 碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片,制作芯片的核心材料按照历史进程分为:第一代半导体材料(大部分为目前广泛使用的高纯度硅),第二代化合物半导体材料(...
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