高压开关电源1700V碳化硅MOSFET 可作为硅 IGBT 的替代品
1854当今为商用车辆推进提供动力的节能充电系统以及辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器以及其他交通和工业应用都依赖于高压开关电源设备。 1700V 碳化硅技术是硅 IGBT 的替代品。由于有损硅 IGBT 对开关频率的限...
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当今为商用车辆推进提供动力的节能充电系统以及辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器以及其他交通和工业应用都依赖于高压开关电源设备。 1700V 碳化硅技术是硅 IGBT 的替代品。由于有损硅 IGBT 对开关频率的限...
查看全文充电时间和续航里程一样重要 纯电动车正越来越流行,而随着潜在用户对它们的了解愈发深入,纯电动车极有可能迎来更快速的发展。根据美国能源信息署(EIA)预测,从2018年到2050年,续航里程达到160.9km、3...
查看全文碳化硅功率半导体近年来在能源转换应用中正在成为一个热门的话题:由于材料属性,使得它具有比硅基半导体器件更高的最大结温、更小的损耗,以及更小的材料热阻系数等。 因此,很多人宣称,当碳化硅功率器件应...
查看全文用于单相输入交流系统的简单功率因数校正(PFC)拓扑结构(图1)是个传统的单通道升压转换器。该方案包含一个用于输入交流整流的二极管全桥和一个PFC控制器,以增加负载的功率因数,从而提高能效并减少施加在交流输...
查看全文摘要 随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用,更好的电流控制成为一种趋势。而双向DC/DC转换器可以保持电池健康,并延长其使用寿命。 简介 电池供电的便携式设备越来越多,在如今的生活中扮演的角色也愈发...
查看全文以往,功率转换器效率的提高是难以实现和测量的。SiC FET则能保证让所有设计都能得到提高。 更高的效率无疑是一个优势,但是有时候“更高”的陈述是不准确的,比如:家庭电子器件散发“更高”的热量可以减轻您的中央...
查看全文自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计,只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动,可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。随着新能源受到全球政府的推动与支持,与新能源相关的半导体芯片需...
查看全文提高碳化硅器件结温的挑战 碳化硅器件结温从175℃到200℃要经历怎样的改变?在这一过程中,有哪些挑战和困难需要解决呢? 碳化硅芯片本身作为一个单极性宽禁带器件,在175℃至200℃之间其静态和动态特性将发生渐变。...
查看全文由于SiC 材料具有更高的击穿场强、更好的热稳定性、更高的电子饱和速度及禁带宽度,因此能够大大提高功率器件的性能表现。相较于传统的Si功率器件,SiC 器件具有更快的开关速度,更好的温度特性使得系统损耗大幅...
查看全文功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明,在模拟工具的支持下,SiC FET技术能兼顾这两点。 性能是一个主观术语,它可以用许多你喜欢的方式衡量,但是在功率转换界,它归结为两个相互依赖的...
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