ASC700N1200MD3

分类:SiC MOSFET模块 278 0

 

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1. 采用真空回流焊工艺,AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷,最高工作结温175℃;

2. 第三代模块寄生电感低于10nH,比现有模块小50%以上,降低开关损耗;

3. 适用高温、高频应用,超低损耗;

 

 

 

 

 

 

规格参数

品类

SIC 碳化硅 模块

Product SKU ASC700N1200MD3
VDS 1200V
RDS(on) @25℃ 2.3mΩ
ID 700A
描述/说明 深圳亿伟世科技提供以SiC MOSFET芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。

 

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