1. 采用真空回流焊工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷,最高工作结温175℃;
2. 功率密度高,适用高温、高频应用,超低损耗;
3. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;
4. 常关功率模块,零拖尾电流,寄生电感小于15nH,开关损耗低;
规格参数
品类 |
SIC 碳化硅 模块 |
Product SKU | ASR8N1200MEDF |
VDS | 1200V |
RDS(on) @25℃ | 7.5mΩ |
ID | 300A |
描述/说明 | 深圳亿伟世科技提供以SiC MOSFET芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。 |
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