ASR8N1200MEDF

分类:SiC MOSFET模块 288 0

 

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1. 采用真空回流焊工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷,最高工作结温175℃;

2. 功率密度高,适用高温、高频应用,超低损耗;

3. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;

4. 常关功率模块,零拖尾电流,寄生电感小于15nH,开关损耗低;

 

 

 

 

 

 

规格参数

品类

SIC 碳化硅 模块

Product SKU ASR8N1200MEDF
VDS 1200V
RDS(on) @25℃ 7.5mΩ
ID 300A
描述/说明 深圳亿伟世科技提供以SiC MOSFET芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。

 

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