ASR12N1200EP

分类:SiC MOSFET模块 293 0

 

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1. 采用先进的真空回流焊工艺,Al2O3绝缘陶瓷,最高工作结温150℃;

2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗;

3. 适用高温、高频应用;

4. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;

 

 

 

 

 

 

规格参数

品类

SIC 碳化硅 模块

Product SKU ASR12N1200EP
VDS 1200V
RDS(on) @25℃ 11.2mΩ
ID 132A
描述/说明 深圳亿伟世科技提供以SiC MOSFET芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。

 

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