ASC800N1200DCS12

分类:SiC MOSFET模块 221 1

 

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1. 采用单面水冷+模封工艺,最高工作结温175℃;

2. 功率密度高,适用高温、高频应用,超低损耗;

3. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;

 

 

 

 

 

 

规格参数

品类

SIC 碳化硅 模块

Product SKU ASC800N1200DCS12
VDS 1200V
RDS(on) @25℃ 2mΩ
ID 800A
描述/说明 深圳亿伟世科技提供以SiC MOSFET芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。

 

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