深圳市亿伟世科技
1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷
2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；
3. 适用高温、高频应用；
规格参数
| 品类 |
SIC 碳化硅 模块 |
| Product SKU | ASR9N1200ME2 |
| VDS | 1200V |
| RDS(on) @25℃ | 9mΩ |
| ID | 235A |
| 描述/说明 | 深圳亿伟世科技提供以SiC MOSFET芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。 |
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