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碳化硅SiC材料有哪些优秀的性能表现？

2022/02/16 2364

上世纪四五十年代，以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展，硅材料的制备与工艺日臻完美，Si基器件的设计和开发也经过了多次迭代和优化，正在逐渐接近硅材料的极限...

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碳化硅SIC MOSFET有哪些优势？

2022/02/16 1958

下面我们通过实际测试数据来直观感受一下SiC 的优势。 1）开关损耗 图2是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 与CoolSiC™ MOSFET (IMW120R045M1) 在同一平台下进行开关损耗的对比测试结果。母线电压800V, 驱动电...

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碳化硅 SiC MOSFET 发展历程

2022/02/16 1635

        碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高，碳化硅的主要用途是...

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mos管是什么及工作原理？

2022/02/15 1778

MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理...

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IGBT与MOS （mosfet）的区别有哪些？

2022/02/15 2784

IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT；多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6...

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IGBT工作原理

2022/02/15 1587

IGBT工作原理 其实IGBT的结构和MOS管非常接近，只是背面增加N+和P+层。 “+”意味着更高的自由电子或者空穴密度。从而IGBT在保留MOS管优点的同时，增加了载流能力和抗压能力。 在新能源汽车上，IGBT负责交...

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 COOLMOS与IGBT的比较

2022/02/15 1857

 COOLMOS与IGBT的比较 600V、800V耐压的 COOLMOS的高温导通压降分别约6V，7.5V，关断损耗降低1/2，总损耗降低1/2以上，使总损耗为常规MOSFET的40%-50%。常规 600V耐压MOSFET导通损耗占总损耗约75%，对应相同总损...

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功率MOSFET参数介绍

2022/02/15 2378

功率MOSFET参数介绍 第一部分 最大额定参数 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际...

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MOSFET简介概述

2022/02/15 957

  MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体...

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综合介绍：SiC MOSFET与Si MOSFET的区别

2022/02/15 2433

关键要点: ・为使SiC-MOSFET获得低导通电阻，Vgs需要在18V前后，要比Si-MOSFET高。 ・SiC-MOSFET的内部栅极电阻比Si-MOSFET大，因此外置Rg较小，但需要权衡浪涌保护。   驱动电压： SiC-MOSFET与Si-MOSFET相...

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