深圳市亿伟世科技碳化硅SIC技术如何变革汽车车载充电
984用于单相输入交流系统的简单功率因数校正(PFC)拓扑结构(图1)是个传统的单通道升压转换器。该方案包含一个用于输入交流整流的二极管全桥和一个PFC控制器，以增加负载的功率因数，从而提高能效并减少施加在交流输...
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用于单相输入交流系统的简单功率因数校正(PFC)拓扑结构(图1)是个传统的单通道升压转换器。该方案包含一个用于输入交流整流的二极管全桥和一个PFC控制器，以增加负载的功率因数，从而提高能效并减少施加在交流输...
查看全文摘要 随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用，更好的电流控制成为一种趋势。而双向DC/DC转换器可以保持电池健康，并延长其使用寿命。 简介 电池供电的便携式设备越来越多，在如今的生活中扮演的角色也愈发...
查看全文以往，功率转换器效率的提高是难以实现和测量的。SiC FET则能保证让所有设计都能得到提高。 更高的效率无疑是一个优势，但是有时候“更高”的陈述是不准确的，比如：家庭电子器件散发“更高”的热量可以减轻您的中央...
查看全文自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。随着新能源受到全球政府的推动与支持，与新能源相关的半导体芯片需...
查看全文准确的电源和测量测试对表征这些高压器件非常关键，以便能够及时制订正确的设计决策。提高设计裕量和过度设计只会推动成本上升，导致性能下降。此外，这些器件一般会涉及超过200 V的高压，因此确保人身安全，防止...
查看全文提高碳化硅器件结温的挑战 碳化硅器件结温从175℃到200℃要经历怎样的改变？在这一过程中，有哪些挑战和困难需要解决呢？ 碳化硅芯片本身作为一个单极性宽禁带器件，在175℃至200℃之间其静态和动态特性将发生渐变。...
查看全文由于SiC 材料具有更高的击穿场强、更好的热稳定性、更高的电子饱和速度及禁带宽度，因此能够大大提高功率器件的性能表现。相较于传统的Si功率器件，SiC 器件具有更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅...
查看全文功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明，在模拟工具的支持下，SiC FET技术能兼顾这两点。 性能是一个主观术语，它可以用许多你喜欢的方式衡量，但是在功率转换界，它归结为两个相互依赖的...
查看全文简介 碳化硅FET已经广泛应用于纯电动车（EV）的车载充电器（OBC）和直流转换器。它们在牵引逆变器中的使用也快速增长。由于开关速度比IGBT快得多，它们成为了系统总线电压超过500 V（如800 V）时的首选器件。在系...
查看全文近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密...
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