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ASC100N1700MT4i

2025/01/13 235

样品申请询价技术咨询在线咨询 规格参数 型号 ASC100N1700MT4i 规格 1700V 品类 碳化硅SIC Mosfet 描述/说明 深圳亿伟世科技提供以SiC MOSFET芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。 最小包...

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ASC100N1700MT4L

2025/01/13 267

样品申请询价技术咨询在线咨询 规格参数 型号 ASC100N1700MT4L 规格 1700V 品类 碳化硅SIC Mosfet 描述/说明 深圳亿伟世科技提供以SiC MOSFET芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。 最小包...

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ASR16N1200MD02

2025/01/13 301

样品申请询价技术咨询在线咨询 规格参数 型号 ASR16N1200MD02 规格 1200V 品类 碳化硅SIC Mosfet 描述/说明 深圳亿伟世科技提供以SiC MOSFET芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。 最小包装...

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ASC400N1700MD3

2025/01/10 357

  样品申请 询       价技术咨询 在线咨询 1. 最高工作结温175℃； 2. 高功率密度，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用；             规格参数 品类 SIC 碳化硅 模块...

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ASC600N1700MD3

2025/01/10 327

  样品申请 询       价技术咨询 在线咨询 1. 最高工作结温175℃； 2. 高功率密度，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用；             规格参数 品类 SIC 碳化硅 模块...

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ASC600N1700MD3

2025/01/10 306

  样品申请 询       价技术咨询 在线咨询 1. 采用真空回流焊工艺，AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗； 3. 适用高温...

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ASC300N1200MD3

2025/01/10 344

  样品申请 询       价技术咨询 在线咨询 1. 采用真空回流焊工艺，AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗； 3. 适用高温...

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ASC700N1200MD3

2025/01/10 296

  样品申请 询       价技术咨询 在线咨询 1. 采用真空回流焊工艺，AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗； 3. 适用高温...

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ASC400N650MD3

2025/01/10 315

  样品申请 询       价技术咨询 在线咨询 1. 采用真空回流焊工艺，AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗； 3. 适用高温...

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ASC600N650MD3

2025/01/10 268

  样品申请 询       价技术咨询 在线咨询 1. 采用真空回流焊工艺，AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗； 3. 适用高温...

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