SiC MOSFET ASC100N1200MDS 碳化硅
2009Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET use a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance a...
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Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET use a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance a...
查看全文产品型号 封装 应用拓扑 输入电压 (V) 输出功率 (W) MOSFET BV (V) 开关频率 (kHz) 输入过压保护 待机功耗 (mW) 其它 BPA8604D SOP7 Flyback-SSR 85~265 6 700 132 无 30 AC过零检测 BPA8616D SOP7 Flybac...
查看全文AC/DC非隔离: 产品型号 封装 应用拓扑 输入电压(V) 输出电压(V) 输出电流(mA) MOSFET BV(V) 续流二极管 VCC电容 待机功耗(mW) BPA8504D SOP7 BUCK/BUCK-BOOST 85~265 连续可调 200 650 外置 需要 100 BPA...
查看全文非集成预驱MCU: 产品型号 工作电压(V) 主频(HZ) 位 DSP Flash(KB) RAM(KB) ADC 比较器 I2C 运放 封装 BP6601 2.2 to 5.5 96M 32 Y 32 8 1 (20-channel) 2 1 2 SSOP24 BP32MC057M6S8 2.2 to 5.5 96M 32 ...
查看全文半桥驱动IC选型表: 产品型号 分类 电压等级(v) 拉电流(A) (typ) 灌电流(A) (typ) 死区(ns) 欠压释放(V) (typ) 欠压保护(V) (typ) 封装 参考型号 BP6901A Half-bridge 600 0.21 0.32 100 8.8 8.0 SOP-8 IR21...
查看全文产品型号 配置 电压等级(V) 额定电(A) @25℃ 最大功率(W) @20kHz 导通阻抗(Ω)or 饱和压降(V)@25℃ 温度检测输出 集成自举二极管 封装 BPP1N5004D 半桥 500 1.6 40 3.3 Ω – – DIP8 BP1N5004DA 半...
查看全文选型表: 产品型号 相数 输出电压组数 协议 最小开关频率(KHz) 最大开关频率(KHz) 最小 Vcc(V) 最大 Vcc(V) 工作结温(℃) 封装 BPD93010E 10 1 PMBUS/I2C等 300 2000 4.5 5.5 -40~125 QFN5*5 BPD93008E 8 1...
查看全文规格参数 品牌:OCX 订货型号:OC5800L 封装:ESOP8 输入电压范围 :8~100V 输出电压范围 :≤2A 输出电流范围:≤1.5A 输出功率范围:20W 驱动方式:内置MOS 效率:最大93% 静态电流:低至700uA 样品申请询价技...
查看全文规格参数 品牌:OCX 订货型号:OC5806L 封装:ESOP8 输入电压范围 :8~150V 输出电压范围 :≤Vi-4V 输出电流范围:≤1.5A 输出功率范围:15W 驱动方式:内置MOS 效率:最大93% 静态电流:低至700uA 样品申请询...
查看全文规格参数 品牌:OCX 订货型号:OC5801L 封装:SOP8 输入电压范围 :8~150V 输出电压范围 :≤Vi-4V 输出电流范围:≤10A 输出功率范围:120W 驱动方式:外置MOS 效率:最大95% 静态电流:低至700uA 样品申请询价...
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