DC-DC降压恒流系列 _ 深圳市亿伟世科技 _ Page 3

DC-DC降压恒流OC5020B内置 MOS 开关降压型 LED 恒流驱动器 LED 射灯
2022/04/16 1242
规格参数品牌：OCX 订货型号：OC5020B 封装：ESOP8 输入电压范围：3.1～100V 输出电压范围：≤Vi-1.2V 输入电流范围：≤2A 输出功率范围：≤20W 驱动方式：内置MOS 效率：最大95% 调光功能：PWM调光/线.. 样品...
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DC-DC降压恒流OC5021B 开关降压型 LED 恒流驱动器自行车、电动车、摩托车灯
2022/04/16 1323
规格参数品牌：OCX 订货型号：OC5021B 封装：SOT23-6 输入电压范围：3.1～150V 输出电压范围：≤Vi-1V 输入电流范围：≤5A 输出功率范围：≤40W 驱动方式：外置MOS 效率：最大95% 调光功能：PWM调光/线.. 样品...
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DC-DC降压恒流OC5260 60V电流检测降压LED恒流驱动器建筑、工业、环境照明
2022/04/16 1799
规格参数品牌：OCX 订货型号：OC5260 封装：ESOP8 输入电压范围：5～60V 输出电压范围：≤Vi-0.8V 输入电流范围：≤2.5A 输出功率范围：≤40W 驱动方式：内置MOS 效率：最大95% 调光功能：PWM调光/线.. 样品申...
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DC-DC降压恒流OC5031B 电流检测降压 LED 恒流驱动器建筑、工业、环境照明
2022/04/16 2041
规格参数品牌：OCX 订货型号：OC5031B 封装：SOT23-6 输入电压范围：5～60V 输出电压范围：≤Vi-0.8V 输入电流范围：≤10A 输出功率范围：≤80W 驱动方式：外置MOS 效率：最大95% 调光功能：PWM调光/线.. 样品...
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DC-DC降压恒流OC5215 30V,1.5A 高端电流检测降压 LED 恒流驱动器
2022/04/16 2582
规格参数品牌：OCX 订货型号：OC5215 封装：SOT89-5/ESOP8 输入电压范围：5.5～60V 输出电压范围：≤Vi-0.8V 输入电流范围：≤1.2A 输出功率范围：≤18W 驱动方式：内置MOS 效率： -最大95% 调光功能：PWM调光/...
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DC-DC降压恒流OC5217 30V,800mA 高端电流检测降压 LED 恒流驱动器
2022/04/16 1792
规格参数品牌：OCX 订货型号：OC5217 封装：SOT23-5 输入电压范围：5.5～60V 输出电压范围：≤Vi-1.0V 输入电流范围：≤0.8A 输出功率范围：≤10W 驱动方式：外置MOS 效率： -最大95% 调光功能：PWM调光/线.. ...
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DC-DC降压恒流OC5219 30V,1A 高端电流检测降压 LED 恒流驱动器
2022/04/16 1522
规格参数品牌：OCX 订货型号：OC5219 封装：SOT89-5 输入电压范围：5～30V 输出电压范围：≤Vi-0.8V 输入电流范围：≤1.0A 输出功率范围：≤15W 驱动方式：内置MOS 效率： -最大95% 调光功能：PWM调光/线.. 样...
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DC-DC降压恒流OC5262 60V高端电流检测降压LED恒流驱动器
2022/04/16 1119
规格参数品牌：OCX 订货型号：OC5262 封装：ESOP8 输入电压范围：5.5～60V 输出电压范围：≤Vi-0.8V 输入电流范围：≤2.5A 输出功率范围：≤40W 驱动方式：内置MOS 效率： -最大95% 调光功能：PWM调光/线.. 样...
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DC-DC降压恒流OC5010B 内置 5A MOS 高端电流检测降压 LED 恒流驱动器
2022/04/16 2416
规格参数品牌：OCX 订货型号：OC5010B 封装：ESOP8 输入电压范围：5.5～60V 输出电压范围：≤Vi-0.8V 输入电流范围：≤2.5A 输出功率范围：≤20W 驱动方式：外置MOS 效率： -最大95% 调光功能：PWM调光/线.. 样...
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DC-DC降压恒流OC5011B高端电流检测降压 LED 恒流驱动器 ◆建筑、工业、环境照明
2022/04/15 2140
规格参数品牌：OCX 订货型号：OC5011B 封装：SOT23-6 输入电压范围：5.5V~60V 输出电压范围：≤Vi-0.8V 输入电流范围：≤5A 输出功率范围：≤60W 驱动方式：外置MOS 效率： -最大95% 调光功能：PWM调光样品申...
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工程师家园

高频开关噪声抑制与共模电压抑制技术对比分析
2025/04/28 37
电力电子系统电磁兼容性设计的核心命题在新能源车、工业变频器、光伏逆变器等电力电子系统中，高频开关噪声与共模电压是影响系统可靠性与电磁兼容性（EMC）的两大核心挑战。高频开关噪声源于功率器件（如SiC MOS...
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800V高压平台下碳化硅电机驱动系统的电磁兼容性设计
2025/04/28 40
高功率密度与高可靠性的协同优化随着新能源汽车向800V高压平台演进，碳化硅（SiC）功率器件凭借其高频、低损、高温特性成为电机驱动系统的核心。然而，高压大电流工况下，SiC器件的快速开关特性（dv/dt>100kV...
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车规级碳化硅模块动态均流特性研究：多芯片并联的电流失衡机理与补偿策略
2025/04/28 35
面向高功率密度电驱系统的可靠性突破在新能源汽车800V高压平台中，车规级碳化硅（SiC）功率模块通过多芯片并联方案实现高功率密度与高可靠性。然而，由于器件参数离散性、寄生参数差异及动态热耦合效应，多芯片...
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基于银烧结技术的碳化硅功率模块三维集成封装研究
2025/04/28 45
高功率密度与高可靠性的协同突破随着新能源车、智能电网及轨道交通的快速发展，碳化硅（SiC）功率模块因其高频、低损、高温特性成为电力电子系统的核心器件。然而，传统软钎焊工艺的局限性（如热导率低、机械疲...
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碳化硅（SiC）光耦继电器_颠覆性优势与技术革新
2025/04/28 42
在工业自动化、新能源系统及高可靠性场景中，光耦继电器作为电路隔离与信号传输的核心器件，长期面临高频损耗、温漂严重、寿命受限等瓶颈。碳化硅（SiC）材料的引入，凭借其宽禁带、高击穿场强、高热导率等特性，...
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碳化硅（SiC）在10kV电力电子中的核心优势分析
2025/04/27 38
一、材料本征优势：突破硅基物理极限 1. 超高击穿电场强度：高压器件的小型化革命材料特性：SiC的临界击穿电场强度达3 MV/cm（硅仅0.3 MV/cm），是硅的10倍。器件结构优化：在10kV器件中，SiC MOSFET的漂移...
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碳化硅（SiC）光耦继电器：颠覆性优势与技术革新
2025/04/27 42
在工业自动化、新能源系统及高可靠性场景中，光耦继电器作为电路隔离与信号传输的核心器件，长期面临高频损耗、温漂严重、寿命受限等瓶颈。碳化硅（SiC）材料的引入，凭借其宽禁带、高击穿场强、高热导率等特性，...
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碳化硅MOSFET：颠覆性优势背后的技术攻坚之路
2025/04/27 45
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，正在重塑电力电子技术的边界。其高耐压、低损耗、高频率特性为新能源、轨道交通、智能电网等领域带来革命性突破，但材料本征缺陷与工艺复杂性也构成了产业化进程中的“...
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碳化硅MOS模块使用注意事项_从设计到运行的关键要点
2025/04/27 376
碳化硅（SiC）MOSFET凭借其低导通电阻、高频开关能力和高温稳定性，已成为新能源车、光伏逆变器、储能系统等领域的核心器件。然而，其独特的材料特性和高性能要求也带来了设计复杂性和使用风险。本文从实际应用角...
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碳化硅MOS模块封装中不得不提的银烧结技术：原理、优势与产业化挑战
2025/04/27 42
银烧结技术是碳化硅（SiC） MOSFET功率模块封装的核心工艺，直接影响器件的热管理能力与长期可靠性。本文从银烧结的物理机制出发，对比传统焊料工艺，系统阐述其高导热、低界面电阻的优势，并深入分析工艺参数（...
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