1200V _ 深圳市亿伟世科技 _ Page 2

ASR160N1200MD88PB 碳化硅新品上架
2023/07/08 1430
Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET use a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance a...
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SIC MOSFET 1200V N-Channel MOSFET DFN10*12
2023/02/11 1514
Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET use a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance a...
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SiC MOSFET ASC100N1200MDS 碳化硅
2022/08/09 1994
Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET use a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance a...
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国产碳化硅MOS管 SiC mosfet芯片ASR50N1200MD88 1200V
2022/02/21 1994
规格参数品牌：AST Model Name：ASR50N1200MD88 Package：DFN8*8 Voltage：1200V Ron：50mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Product 样品申请询价技术咨询在线咨询
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SIC mosfet系列芯片ASR160N1200MD88 1200V
2022/02/21 1860
规格参数品牌：AST Model Name：ASR320N650MD88 Package：DFN8*8 Voltage：1200V Ron：160mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Product 样品申请询价技术咨询在线咨询
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国产碳化硅供应商SIC mosfet芯片ASC100N1200MT3 1200V
2022/02/21 2359
规格参数品牌：AST Model Name：ASC100N1200MT3 Package：TO-247-3L Voltage：1200V Ron：17mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Product 样品申请询价技术咨询在线咨询
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碳化硅MOS场效应管SIC mosfet ASC60N1200MT3 1200V
2022/02/21 2147
规格参数品牌：AST Model Name：ASC60N1200MT3 Package：TO-247-3L Voltage：1200V Ron：40mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Product 样品申请询价技术咨询在线咨询
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碳化硅SIC mosfet芯片ASC30N1200MT3 1200V
2022/02/21 2618
规格参数品牌：AST Model Name：ASC30N1200MT3 Package：TO-247-3L Voltage：1200V Ron：80mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Product 样品申请询价技术咨询在线咨询
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第三代半导体碳化硅SIC mosfet芯片ASC18N1200MT3 1200V TO-247-3L
2022/02/21 1575
规格参数品牌：AST Model Name：ASC18N1200MT3 Package：TO-247-3L Voltage：1200V Ron：160mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Development 样品申请询价技术咨询在线咨询
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碳化硅mosfet芯片ASC10N1200MT3 1200V 封装TO-247-3L
2022/02/21 2482
规格参数品牌：AST Model Name：ASC10N1200MT3 Package：TO-247-3L Voltage：1200V Ron：280mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Development 样品申请询价技术咨询在线咨询
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电力电子系统电磁兼容性设计的核心命题在新能源车、工业变频器、光伏逆变器等电力电子系统中，高频开关噪声与共模电压是影响系统可靠性与电磁兼容性（EMC）的两大核心挑战。高频开关噪声源于功率器件（如SiC MOS...
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800V高压平台下碳化硅电机驱动系统的电磁兼容性设计
2025/04/28 34
高功率密度与高可靠性的协同优化随着新能源汽车向800V高压平台演进，碳化硅（SiC）功率器件凭借其高频、低损、高温特性成为电机驱动系统的核心。然而，高压大电流工况下，SiC器件的快速开关特性（dv/dt>100kV...
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碳化硅（SiC）光耦继电器：颠覆性优势与技术革新
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