MOSFET 连续漏极电流（ID）参数解读

定义

功率MOSFET的连续漏极电流（I_D）表征器件在导通状态下漏极能够持续安全流过的最大电流值，通常是一个计算值。

计算方法

电流流过MOSFET器件会产生导通损耗功率（P），导致结温（T_j）升高，若是结温超过器件所允许的最高结温（通常为150℃），会导致器件热损坏，因此需要定义最高连续漏极电流I_D。

推导逻辑：通过器件的热阻（散热能力）和最高结温，反推允许的最大持续电流。

1、当器件芯片型号及封装形式一定时，可以通过测试得到热阻R_thj-c，根据热阻定义式；

可以得到器件在最高结温（T_j=150℃）时，器件的功耗P_D（器件所允许的最大功耗）。

2、根据电流流过电阻产生功耗的定义式：

此时计算的是器件产生的最大功耗P_D，注意R_DS(ON)为最高工作结温下，MOSFET的导通电阻。

3、联立上述两式，就可以得到最大连续漏极电流I_D的计算公式：

T_j：表示器件最高结温。

T_c：表示环境温度。

R_thj-c：表示器件结到裸露铜皮或散热器的热阻。

R_{DS(ON)_Tj}：表示最高结温下器件的导通电阻。

根据公式可以看出，最大连续漏极电流（I_D）受最高结温限制时，主要与环境温度、热阻及导通电阻有关。

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