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MOSFET转移特性曲线解读

2025-09-24 10:02:32

什么是转移特性曲线?

曲线变化过程
转移与输出特性曲线关联

什么是转移特性曲线?

转移特性曲线是指在漏-源电压(VDS)一定时,漏极电流(ID)随栅-源电压(VGS)的变化曲线(如下图),体现了栅-源电压(VGS)对漏极电流ID的控制作用。

曲线变化过程

V1-V2

此阶段VGSVTH,栅氧下方P型体区不足以反型,未形成N沟道,因此漏极与源极处于阻断状态无电流流过(Id≈0),该过程曲线贴近X轴。

V2-V3

此阶段VTHVGSVDS+VTH,栅氧下方沟道处于夹断状态,夹断点随VGS升高向漏极端移动(如下图),耗尽层宽度减小,沟道电阻降低;因此该过程漏极电流IDVGS升高而升高。

V3-V4

此阶段VGSVDS+VTH,栅氧下方沟道处于完全开启状态,沟道电阻几乎不随VGS改变;因此在VDS一定时,该过程漏极电流ID不受VGS影响。

转移与输出特性曲线关联

转移特性曲线变化过程,在输出特性曲线上可以看做漏-源电压VDS一定时,MOSFET器件从截止区→饱和区→线性区的过程(如下图)。

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作者: 深圳市亿伟世科技有限公司
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MOSFET转移特性曲线解读
什么是转移特性曲线?曲线变化过程转移与输出特性曲线关联什么是转移特性曲线?转移特性曲线是指在漏-源电压(VDS)一定时,漏极电流(ID)随栅-源电压(VGS)的
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