MOSFET跨导（GFS）参数解读

跨导定义

测试方法

影响因素

一、跨导定义

MOSFET在一定的V_DS下，I_D的变化量与引起其变化的V_GS的变化量的比值就是跨导（GFS，又称为g_m），单位为S（西门子），即欧姆的倒数（注：跨导单位，西门子公司用符号S表示；1西门子=1安培每伏）。表征MOSFET输入电压对输出电流的控制能力，也就是转移特性曲线上某一点的切线的斜率（如下图）。

二、测试方法

在一定的漏源电压（V_DS）下，测试漏极电流的变化量△I_D与栅源电压变化量△V_GS的比值。（如下式）

常见的测试方法主要有：栅源电压交流法、漏极电流交流法、间隔脉冲测试法、连续脉冲测试法等。

三、影响因素

MOSFET工作在饱和区（V_DS>V_GS-V_TH）时（为例）：

其中μ_n表示载流子迁移率；C_ox表示栅氧电容；W/L表示沟道宽长比；V_GS表示栅源电压；V_TH表示器件阈值电压

如公式，饱和区跨导（GFS）随迁移率、栅氧电容、沟道宽长比及栅源电压的增加而增大；随温度（温度升高迁移率下降）、阈值电压的升高而下降。

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