深圳市亿伟世科技爱仕特碳化硅芯片特性介绍：
SiC MOS芯片
全系列采用6英寸晶圆量产
最高耐压3300V
最低内阻15毫欧
高雪崩耐量，100% UIS测试
满足车规级要求：按照AEC-Q101标准测试
1.sic 4 寸晶圆
2.sic 6寸晶圆
爱仕特是国内首家量产六英寸SiC MOS的厂家，晶圆流片良率高达91%。其SiC MOS芯片最高耐压3300V，单芯片最大电流可达120A，最低内阻15毫欧，高雪崩耐量，100% UIS测试，并按照AEC-Q101标准测试，满足车规级要求。SiC MOS模块的结温高达175℃，正温度系数，采用氮化铝绝缘基板，有较高的导热性和绝缘性，集成负温度系数传感器，绝缘电压达2.5KV，其中的第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗。
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