爱仕特碳化硅SiC MOS芯片特性介绍 2022/02/11 1757 爱仕特碳化硅芯片特性介绍： SiC MOS芯片 全系列采用6英寸晶圆量产 最高耐压3300V 最低内阻15毫欧 高雪崩耐量，100% UIS测试 满足车规级要求：按照AEC-Q101标准测试 1.sic 4 寸晶圆 2.sic... 查看全文
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