SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。

然而，普通的单沟槽结构由于栅极沟槽底部电场集中而存在长期可靠性相关的课题。针对这类课题，ROHM开发的双沟槽结构通过在源极部分也设置沟槽结构，缓和了栅极沟槽底部的电场集中问题，确保了长期可靠性，从而成功投入量产。

这款采用双沟槽结构的SiC-MOSFET，与正在量产中的第2代平面型（DMOS结构）SiC-MOSFET相比，导通电阻降低约50%，输入电容降低约35%。