SIC MOSFET 碳化硅功率元器件知识课堂 基础篇 前言 前言 何谓SiC（碳化硅）？ 何谓碳化硅 SiC功率元器件的开发背景和优点 SiC肖特基势垒二极管 所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较 所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较 所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较 所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程 所谓SiC-SBD－使用SiC-SBD的优势 所谓SiC-SBD－关于可靠性试验 所谓SiC-MOSFET 所谓SiC-MOSFET－特征 所谓SiC-MOSFET－功率晶体管的结构与特征比较 所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别 SIC MOSFT与IGBT的区别 所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性 所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品 所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的应用实例 所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性 全SiC功率模块 所谓全SiC功率模块 全SiC功率模块的开关损耗 运用要点 栅极驱动 其1 栅极驱动 其2 应用要点 缓冲电容器 专用栅极驱动器和缓冲模块的效果 支持工具 全SiC模块损耗模拟器 总结 总结 应用篇 SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作 前言 SiC MOSFET的桥式结构 SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作 桥式电路的开关产生的电流和电压 低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作 低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作 总结 SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法 什么是栅极－源极电压产生的浪涌？ 浪涌抑制电路 正电压浪涌对策 浪涌抑制电路的电路板布局注意事项 通过驱动器源极引脚改善开关损耗 有无驱动器源极引脚的差异及其效果 驱动器源极引脚的效果 双脉冲测试比较 桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时 桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：关断时 电路板布线布局相关的注意事项 测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项 一般测量方法 SiC功率器件栅极电荷量测量方法
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