摘 要：栅氧老化问题已成为制约碳化硅(SiC)金属半导体氧化物场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor，MOSFET)可靠性的关键因素，该文尝试利用SiCMOSFET高速开关在变换器中引起的高频开关振荡获取栅氧状态信息，重点研究栅氧老化对开通瞬态栅极高频振荡特性的影响。首先，分析SiC MOSFET栅氧老化机理及其对器件开通时间的影响。然后，建立开通瞬态栅极回路分阶段高频等效电路模型，揭示SiC MOSFET栅极开通振荡电流的形成机理和影响因素。最后，通过33V高压栅偏加速老化实验进行验证。研究结果表明，随着栅氧老化程度的加深，SiCMOSFET阈值电压会逐渐增加而开通速度变慢，导致栅极开通振荡电流显著减小(约28%)。该文的工作有望为SiCMOSFET栅氧老化在线监测提供一种新的思路。
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系
我们将为您提供高效、贴心的解决方案！
咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
↓ ↓ 点击图片免费领取产品规格书 ↓ ↓ 
想深入了解碳化硅功率器件产品知识？点击→「碳化硅（SiC）课堂」获取详情！
