摘 要：为更充分地发挥SiC MOSFET在具有固定参数的传统电压源驱动下的开关性能，同时抑制串扰影响，提高栅极可靠性，本文优化了其在电压源驱动下的栅极无源器件参数组合方案。通过对SiC MOSFET在作为主动管时的开关行为及作为被动管时的串扰行为进行理论分析，分别研究了不同的无源参数对开关过程各阶段的开关性能及串扰行为的影响，提出栅极参数的协同优化策略，并通过实验进行了验证。优化后的栅极驱动参数在确保关断过电压应力接近的前提下，不仅将器件作为主动管时的开关损耗最大降低30%，而且可将其作为被动管时的串扰峰峰值降低60%，实现了SiC MOSFET在电压源驱动下开关性能和栅极可靠性的协同优化。
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