摘要：功率半导体器件的发展对电力电子技术的发展起着至关重要的作用。目前，随着硅器件制造技术和加工工艺的日渐成熟，其性能已经接近理论极限和工程极限，依靠硅器件来提高电力电子设备的性能和可靠性已经十分困难。近年来，碳化硅（SiC）器件发展迅猛，具有工作温度高、阻断电压高、工作频率高和通态损耗小的优点，被广泛应用于高压、高温、高效率及高功率密度的场合。在基于SiC MOSFET的双有源桥（Dual Active Bridge，DAB）电路中，碳化硅器件的高开关速度使得同一桥臂上下管之间的串扰严重，导致SiCMOSFET栅极电压波动较大，振荡尖峰很有可能会使器件失效，整个系统可靠性受到了严峻的挑战。本文主要研究DAB中SiCMOSFET的栅极负压问题，设计了一种能够有效减小SiCMOSFET栅极负压的驱动电路，对其原理进行了分析，并通过SIMetrix仿真软件搭建仿真模型对理论分析进行验证。最后，搭建试验样机进行测试，栅极负压尖峰减小了11%，极大地提高了系统的可靠性。
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