摘 要：
为了提高电力电子装置中SiC MOSFET 可靠性，对SiC MOSFET短路特性和过流保护进行研究。首先在不同的母线电压和环境温度下，对处于短路状态的SiC MOSFET的电流IDs和导通压降VDs(ON)进行测量和分析，在此基础上设计基于VDs(ON)检测的过流保护电路，比较两种消隐电路对保护的影响，实验证明，在消隐电路工作时，较大的充电电流可有效缩短保护时间，但电路功率消耗较大。针对半桥直通短路，根据SiC MOSFET的工作特性，提出一种基于门极电压VGs检测的直通短路保护方法，将半桥两只SiC MOSFET的VGs电压与门极阈值电压比较，如果同时超过阈值电压，可判断发生直通短路，实验表明，提出的保护方法具有保护时间快，短路电流小的特点，与VDs(ON)检测的过流保护电路配合，可以有效地保护SiC MOSFET。
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