摘要：碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》。本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。
(一) SiC CJFET：性价比优势
对于当前市场上任意给定的半导体封装，CJFET始终能提供最低的导通电阻RDS(on)。您无需并联多个器件来提升性能，从而节省宝贵的PCB空间。
安森美(onsemi)采用TOLL封装的750VUJ4SC075005L8S CJFET在25℃时的RDS(on)仅为5.4mΩ。相比之下，竞品器件即使额定电压仅达600V或650V，其RDS(on)仍可能高达该值的十倍之多。
正得益于这一显著的导通电阻优势，安森美的EliteSiC CJFET如今在成本与性能两方面，均能有力地与硅基超结MOSFET(Superjunction MOSFET)展开有力竞争。
(二) SiC Cascode JFET的动态特性
SiC CJFET的工作机制如下：在器件导通阶段，向低压硅MOSFET(LVMOS)的栅极施加12V至15V的正向驱动电压，使其沟道导通。在此期间，阻抗很低，其漏源电压VDS迅速降至0V。而恰好0V即为SiC JFET的导通电压，因此器件也随之导通。
在关断阶段，将LVMOS电压置为0V。漏极偏置电压会通过SiC JFET传递，导致LVMOS的漏源电压VDS升高。这种电压反转会充当JFET的栅极驱动信号，当LVMOS的VDS超过SiC JFET的阈值电压时，JFET的导电沟道被夹断(pinch-off)，从而阻断系统中剩余的全部高压。
(三) 相比SiC MOSFET，具备极低的关断开关损耗
除了导通电阻和导通损耗的优势外，安森美SiC CJFET器件在开关模式应用中，相较于SiC MOSFET，关断能量损耗(Eoff)和导通能量损耗(Eon)也具有显著优势。
下方图表展示了某竞品厂商的SiC MOSFET、安森美的NTBG023N065M3S SiC MOSFET，以及安森美的UJ4SC075018B7S SiC CJFET的实测开关损耗数据。为确保测试公平性，在40A关断电流条件下，各被测器件的续流二极管电压过冲保持一致。
在0A至80A范围内，配合使用330pF的缓冲电路，CJFET在关断开关损耗方面具有显著优势。在40A电流下，其关断损耗几乎比竞品低5倍。
这种优异的关断损耗性能在导通损耗方面略有代价——CJFET的导通损耗确实高于竞品器件，这是由于CJFET内部增加了额外的电容所致。在硬开关导通条件下，会产生更高的导通损耗。但在LLC等典型应用场景中，不存在导通开关损耗，因此CJFET凭借其极低的导通电阻RDs(on)和关断损耗Eoff，成为理想选择。
(四) 相比SiC MOSFET，具备极低的整流损耗
续流二极管(亦称飞轮二极管)能在开关关断、电流中断时实现反向电流通过，从而抑制感性负载两端的高压尖峰。然而，该二极管通常也是反向恢复损耗的另一个主要来源。当电路利用器件的体二极管进行续流导通时，体二极管的导通压降(on-state drop)会导致显著的导通损耗。这通常是采用同步导通方式的原因——通过将JFET沟道导通来减少损耗。
在与两款不同的SiC MOSFET进行相同条件的对比测试中，安森美的CJFET展现出最低的整流关断损耗(Erec)。事实上，在使用缓冲电路的情况下，CJFET的整流损耗随着电流升高反而呈现下降趋势。
当综合考量导通损耗Eon，关断损耗Eoff，与整流损耗Erec这三项关键指标时，即便CJFET的导通损耗较高，其总体开关损耗仍可降低多达三分之一。
(五) CJFET如何利用JFET的超低导通电阻
如前所述，安森美第四代SiC JFET的总导通电阻仅为SiC MOSFET的一半。通过对比SiC MOSFET(左图)与SiC CJFET(右图)的平面结构图，这一战略优势带来的收益显而易见。MOSFET存在固有沟道电阻Rchannel，该电阻对器件整体导通电阻的贡献高达60%。而在共源共栅(cascode)结构的JFET器件中则不存在这种沟道电阻(Rchannel)。取而代之的是一个低压MOSFET，其导通电阻RDS(A)本身就非常低，仅占整体RDS(on)的约10%。通过将反向漂移从SiC MOSFET的体二极管中移除，CJFET在导通电阻形成的空间和时间维度上都得以缩减。
(六) 更低的体二极管正向压降(VF)
EliteSiC CJFET的设计可在第三象限反向恢复阶段实现自动同步整流(SR)。在此阶段，即使未对低压MOSFET施加正向偏置，其体二极管仍可在约+0.7V的电压下导通。由于JFET本身是常开型器件，该低压即可有效将其开启。因此无论是否选择采用同步开关控制，JFET沟道始终能在第三象限导通期间提供同步整流功能。
(七) 降低导通损耗
在第三象限导通期间，SiC MOSFET的体二极管压降明显高于CJFET。如以下两幅图所示，这是对两款典型安森美器件——1200V/80mΩ SiC MOSFET与同规格(1200V、80mΩ)SiC CJFET——在25℃条件下进行的对比测试结果。
当栅极偏置电压为0V时，SiC MOSFET的漏源电压VDS高达4.8V(见蓝色圆圈处)。相比之下，由于CJFET在第三象限自动导通，在相同0V栅压和30A反向电流条件下，其VDS压降仅为约2.45V(见蓝色圆圈处)。因此，在死区时间(dead-time)内，CJFET的导通损耗显著更低。
(八) 极低的栅极电荷，实现更灵活的栅极驱动
共源共栅(cascode)结构通过与硅MOSFET栅极相连，显著提升了栅极驱动的灵活性。该结构可耐受极宽的电压范围，并内置了静电保护(ESD)功能。
假设无需将栅极驱动电压(VGS)提升至15V：如左上图所示，仅9V的VGS即可近乎完全导通SiC CJFET。因此，若仅采用10V而非15V的VGS进行驱动(如右上图所示)，器件的栅极电荷(QG)将降低12nC——降幅达30%，且不会对RDS(on)造成任何负面影响。这对于电源在轻载条件下降低高频LLC拓扑的栅极驱动损耗尤为重要。
(九) SiC Combo JFET的应用灵活性
SiC Combo JFET是一种由低压硅MOSFET与高压常开型SiC JFET组成的复合器件。与cascode器件结构不同，在该组合结构中，SiC JFET的源极连接至低压Si MOSFET的漏极，从而使JFET和MOSFET的栅极均可独立接入以方便控制。
使用Combo JFET最简便的方法，是通过单个电阻RG将JFET栅极与MOSFET源极连接。通过调节该电阻值，即可有效调控器件的开关速度。右图展示了四个并联运行的Combo JFET输出特性曲线，每个器件导通电流为100A。值得注意的是，波形中未出现振荡现象，且开关速度与电流均流性能均得到了良好控制。
(十) 将Si MOSFET堆叠在SiC JFET之上
安森美EliteSiC Combo JFET将常开型SiC JFET与常闭型的Si MOSFET串联连接。但与传统做法不同的是，该器件并未在封装内部将栅极连接到源极，而是将JFET的栅极和MOSFET的栅极分别引出至封装外部，从而可根据具体应用需求灵活地在外部连接。
下方的剖面图展示了蓝色的SiC JFET芯片，它通过银烧结工艺键合至封装铜基底上。黄色的Si MOSFET芯片则通过银烧结工艺堆叠在JFET芯片的顶部。两个芯片各自的栅极分别通过独立的引脚引出封装。
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