NMOS / PMOS 导通条件 & 电流方向（极简硬核版）

一、导通条件 & 电流方向

1. NMOS

• 导通条件：VGS>Vth（G 比 S 电压高）常用：5V～10V
  
• 电流方向：D→S（漏极 → 源极）
  
• 典型接法：S 极接地 → G 只要给高电平就导通
  

2. PMOS

• 导通条件：VGS<−Vth（S 比 G 电压高）常用：-5V～-10V
  
• 电流方向：S→D（源极 → 漏极）
  
• 典型接法：S 极接 VCC → G 给低电平就导通
  

二、高低端驱动对比

1. 低端驱动（负载下端接地）

• 首选：NMOS
  
• 优点：导通电阻小、便宜、型号多、好驱动
  
• 原理：S 接地，G 给高电平直接导通
  

2. 高端驱动（负载上端接电源）

• 理论方便：PMOSS 接 VCC，G 拉低就导通，驱动简单
  
• 实际工程：优先 NMOS原因：
  
• PMOS 导通电阻大
  
• 价格更贵
  
• 可选型号少所以高端驱动宁愿电路复杂一点，也要用 NMOS
  

三、外围常用电路（一句话记住）

• NMOS = 下管（低端开关）S → 地G 高 → 导通
  
• PMOS = 上管（高端开关）S → VCCG 低 → 导通
  

四、SOT-23-3 封装 PMOS 引脚（最常用）

SOT-23-3 三脚贴片：

1. G 栅极
   
2. S 源极
   
3. D 漏极
   

绝大多数贴片 PMOS（AO3401、SI2302 等）都是这个脚位。

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