摘 要：
设计了并网逆变器以及电力电子变压器中SiC MOSFET功率器件的驱动电路，搭建了用于测试驱动电路的双脉冲测试平台，并且介绍了谐振门极驱动电路的工作原理、特点以及优势：还对电网中SiC MOSFET的过电流保护原理进行了详细分析，进而给出了两种过电流保护方案，并且论证了两种方案的可行性。最后，介绍了几种常见的SiC MOSFET在电网中的应用实例，并对其应用进行总结与展望。
在未来的电力系统中，分布式发电以及高压直流输电等技术将会被广泛应用，而这些技术都离不开电力电子装置。传统的功率器件像硅MOSFET和硅IGBT等，开关频率一般低于100 kHz,大大增加了电力电子装置中无源元件的体积，降低了装置的功率密度。
随着宽禁带器件的诞生，SiCMOSFET凭借着导通电阻低、开关频率高、耐压高的特点被广泛应用。目前像并网逆变器以及电力电子变压器(PET)中也开始使用SiCMOSFET，SiCMOSFET能够有效减小装置的功率损耗，预计在未来电力系统中将会得到更为广泛地应用。为了使SiCMOSFET在电力电子装置中能够可靠地运行，设计出稳定的SiC MOSFET驱动电路成了一大难题。本文将对SiC MOSFET的驱动以及保护技术进行研究，同时也会对电力系统中的电力电子装置进行详细的阐述。
1、SiCMOSFET驱动电路设计
1.1、SiC MOSFET驱动电路基本结构
SiCMOSFET驱动电路主要包括以下几个方面：隔离供电电源、PWM隔离以及功率放大电路。主要电路框图如图1所示。
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系
我们将为您提供高效、贴心的解决方案！
咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
点击下方图片免费领取产品规格书
想深入了解碳化硅功率器件产品知识？点击→「碳化硅（SiC）课堂」获取详情！
