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SiC MOSFET高频逆变电路的振荡分析与抑制

2026-01-15 11:39:25

摘 要:

   电磁法探测技术通过向地面发送可控的方波信号并接收地下矿层反射回的信号以获取地质信息,电磁发射机的输出频率、电压和电流均可调节。随着对大功率和高频开关的需求不断增长,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已成为新一代半导体技术的标志。然而,较高的开关频率引发了开关振荡问题。这里计了一种C型缓冲电路设计来有效抑制过电压开关振荡现象。实验结果显示,在开通和关断电阻设定为时,该C型缓冲电路显著降低了开关过程中的电压尖峰和振荡问题,验证了其在实际应用中的效果与可行性。

引言:

   电磁法探测技术是地球物理勘探技术中广泛应用的一种方法,其中电磁发射机作为电磁信号发射的装备,主要功能是对电能进行转换,将输入的工频正弦交流电进行AC-DC-AC-DC-AC变换,从而获得输出频率可控的交流信号,并输入大地。接收机则负责接收并解析由矿层反射回来的信号,进而反演出地下矿层信息”。高频化的超频发射机可以攻克中浅层电磁探测装备(》10kHz)

   尚不能满足我国找矿、地下空间探测等需求。与SiIGBT相比,SiCMOSFET的饱和电子漂移速度更高,开关速度更快。同时SiCMOSFET的开关过程不存在电导调制效应以及拖尾电流,更适合高频应用。但在SiCMOSFET的应用中,开关瞬态的高电流变化率和电压变化率与电路的寄生参数相互作用引起的开关振荡问题会严重影响电磁发射机的可靠性,同时导致接收机采集到的信号准确性降低,影响最终数据的反演结果。针对该问题,这里首先分析了SiCMOSFET的开关过程,研究杂散电感和驱动电阻对开关过程的影响,在此基础上设计了直流侧电容缓冲电路,并通过电磁发射机中的逆变电路作为实验电路进行了验证。

5、结 论

针对超音频电磁发射机项目中逆变电路输出方波时易产生关断振荡的问题,进行了深入研究。通过分析SiC MOSFET 的开关特性,并使用LTspice仿真进行验证,得出以下结论:漏源电感是导致关断振荡的主要原因,但这种电感单纯通过PCB布局很难完全消除;驱动电阻可以减小关断时的电压尖峰,但同时也增加了关断时间和关断损耗。基于上述仿真结果,这里设计了一种C型缓冲电路。通过实验验证表明,所设计的缓冲电路能够有效抑制SiCMOSFET关断时产生的电压振荡问题,验证了设计的正确性。

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作者: 深圳市亿伟世科技有限公司
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SiC MOSFET高频逆变电路的振荡分析与抑制
摘 要:   电磁法探测技术通过向地面发送可控的方波信号并接收地下矿层反射回的信号以获取地质信息,电磁发射机的输出频率、电压和电流均可调节。随着对大功率和高频开
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