今天这部分的主题，是ROHM二代SiCMOSFET产品的栅氧可靠性评估
先简单介绍ROHM采用的评估方式
CCSTDDB（ConstantCurrentStressTimeDependentDielectricBreakdown，恒流应力经时介电击穿），施加恒定的栅极电流密度（如10mA/cm²），使其持续通过栅氧化层，电流通过Fowler-Nordheim隧穿或直接隧穿机制流过栅氧化层，使其逐渐退化，持续监测栅电压，随着氧化层缺陷的积累，维持恒定电流所需的栅电压逐渐下降，当发生软/硬击穿时，栅电压出现明显突降。
记录从开始施加电流到击穿所经过的时间，计算通过的总电荷量QBD。
QBD值越高，表明单位面积栅氧在电应力下可承受更大的电荷注入量，缺陷生成速率更低、长期可靠性更优。
如上，CCSTDDB实验结果，栅极电流密度为24mA/cm²，
25℃和150℃两组数据大致重合，表明在恒定栅极电流密度应力条件下，栅氧化层击穿行为对温度变化不敏感，图中标注“LevelofSi-FET”区域，为SiMOSFET的典型QBD水平，SiCMOSFET的QBD水平集中在15~20C/cm²范围内，与SiMOSFET相当，表明在CCSTDDB应力条件下，其栅氧化层介电击穿可靠性已达到硅器件的水平。
接下来是HTPGB（高温正栅偏）
+22V栅源电压、150℃下，ROHM第二代SiCMOSFET的1000小时HTPGB实验Vth变化情况如上，Vth漂移主要发生在应力施加初期（约前200小时），在这段时间，Vth漂移量从0增至0.2V~0.3V，随后Vth趋于饱和，1000小时实验后，Vth漂移量保持在0.2V~0.3V，即正偏压条件下的电子俘获主要发生在应力初期的有限陷阱中，未观察到随时间持续增长的退化行为。
这里提一下，初期Vth正漂对应的微观物理过程大概是：
高温高场下，电子被SiC/SiO₂界面缺陷态（陷阱）所俘获，这些被捕获的负电荷会抵消一部分栅压对沟道的作用，因此需要更高栅压才能开启器件。
可以理解成界面陷阱的填充过程。
后期Vth保持稳定的原因，是容易填充的陷阱已被填满，剩下的陷阱因为能级太深之类的原因，难以被填充，表现在电性能上，就是Vth保持稳定。
接下来是HTNGB（高温负栅偏）
-6V栅源电压、150℃下，ROHM第二代SiCMOSFET的1000小时HTNGB实验Vth变化情况如左图，右图是不同负栅压下，相应的Vth变化量，Vth发生负漂移，且漂移同样主要发生在初期200小时，随后趋于稳定，1000小时后，Vth漂移量约为-0.2V至-0.4V，至于为什么Vth发生负漂移，微观物理过程是：负栅压下，SiC/SiO₂界面或氧化层中的陷阱捕获空穴，被捕获的正电荷增强了栅极对沟道的控制作用，使得开启器件所需的阈值电压降低。
而从右图看，一旦施加的负压绝对值超过-6V，Vth的负漂明显增大，
这大概也是ROHM第二代SiCMOSFET产品负栅压下限设为-6V的原因之一。
小结：
1、ROHM二代SiCMOSFET的QBD水平集中在15~20C/cm²范围内，与SiMOSFET相当，表明在CCSTDDB应力条件下，其栅氧化层介电击穿可靠性已达到硅器件的水平。
2、ROHM第二代SiCMOSFET的1000小时HTPGB实验Vth正漂移量为0.2V~0.3V，主要发生在前200小时。
3、ROHM第二代SiCMOSFET的1000小时HTNGB实验Vth负漂移量为0.2V~0.4V，主要发生在前200小时。
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