日本半导体制造商罗姆（ROHM）已启动 SCT40xxDLL 系列碳化硅（SiC）MOSFET 的量产工作，该系列产品采用 TOLL（无引脚 TO 封装）封装形式。与额定电压和导通电阻相当的传统 TO-263-7L 封装产品相比，新型封装的热性能提升约 39%，在实现紧凑尺寸和薄型化设计的同时，具备更强的大功率处理能力。该产品适用于服务器电源、储能系统（ESS）等工业设备领域 —— 此类应用对功率密度的要求持续提升，且需要薄型化元器件以支持产品小型化设计。
在人工智能服务器、小型光伏（PV）逆变器等应用场景中，功率等级提升与产品小型化需求形成矛盾，这就要求功率 MOSFET 必须具备更高的功率密度。特别是在超薄型（'披萨盒式'）电源的图腾柱功率因数校正（PFC）电路中，对分立半导体的厚度要求极为严苛，需控制在 4mm 以内。
罗姆这款新产品通过优化封装设计，将元器件占位面积缩减约 26%，厚度仅为 2.3mm，约为传统封装产品的一半，完美满足薄型化需求。此外，市面上多数标准 TOLL 封装产品的漏源极额定电压局限于 650V，而罗姆新产品将这一参数提升至 750V，不仅可降低栅极电阻，还能增加浪涌电压安全裕量，进而减少开关损耗。
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