11月20日，有投资者在互动平台向天岳先进提问，关注行业传出“英伟达计划在新一代GPU芯片先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，并预计最晚于2027年导入”的市场消息，并希望公司作出评价。天岳先进回应称，公司已关注到相关信息。
公司表示，采用12英寸碳化硅作为中介层材料，不仅能够显著提升封装结构的散热效率，还可以在相同封装面积内实现更高的集成密度。在高算力GPU持续推高功耗和带宽需求的背景下，更高导热性能和更优机械可靠性的中介层材料，有助于改善芯片工作温度和系统稳定性，为后续算力提升预留空间。
天岳先进指出，借助12英寸碳化硅衬底，在先进封装中可进一步缩小整体封装尺寸，优化布线和堆叠结构设计，从而在保持或提升性能的同时，有望降低单位算力的封装成本。对于GPU等高端芯片而言，封装环节已成为影响系统性能、功耗和可靠性的重要一环，新型材料的导入被视为推动高性能计算平台迭代升级的关键因素之一。
在产品布局方面，公司表示，目前已推出12英寸全系列衬底产品，覆盖半绝缘、导电P型以及导电N型等多种类型，可服务于不同终端和工艺路线需求。公司称，将结合下游客户在功率器件、高频器件及先进封装中介层等场景的应用要求，持续优化衬底材料的缺陷控制、导热性能与电学特性。
业内人士认为，随着AI算力和高性能计算需求持续攀升，从晶圆工艺到封装材料的全链路升级成为驱动碳化硅等第三代半导体放量的重要方向。天岳先进在12英寸碳化硅衬底上的布局，有望在下一轮先进封装与高端算力平台的产业化进程中受益，后续产品在头部客户体系中的导入节奏及量产规模，值得市场继续跟踪关注。
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