为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当前实际上供应的SiC-SBD。 电源IC等通过不同的架构和配置功能比较容易打造出品牌特色，而二极管和晶体管等分立元器件，功能本身是一样的，因此是直接比较几乎共通的特性项目来选型的。此时，提前了解各产品的具体不同之处，有助于缩短设计时间。 SiC-SBD的发展 ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流产品，已经实现近50种机型的量产销售。下图是第1代到第3代的正向电压与电流特性（VF vs IF）、以及正向电压与抗浪涌电流特性（VF vs IFSM）比较图。点击进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂
