国产SIC碳化硅肖特基二极管供应商

2022/05/13 分类:未分类 1540 0

SIC器件产品覆盖650V/1200V/1700V/3300V (1A-100A) 封装：提供TO220、TO220全包封、TO220内绝缘、TO247-2L、TO247-3L、TO 247-4L、TO-252、TO263-2、SMA、DFN8*8、SOD123、DFN5*6等多款塑封以及高温封装形式，并可按客户需求提供其他封装形式。

面对充电模块等客户对于效率性能、运维成本、功率密度等多方面的需求，基于现行的各种拓扑，量产了1200V多种封装形式的SiC二极管系列产品，见表1。针对其他应用也有1200V2A/3A/5A/8A/10A/50A TO252/TO263/TO220AC/TO247等电流产品对应。

表1 1200V系列产品选型表

备注：*单只脚

一、拓扑

推荐使用1200V系列SiC二极管产品的充电模块拓扑：
● 前级PFC拓扑

01　三相三线制三电平VIENNA（主流选择）：

02　两路交错并联三相三线制三电平VIENNA：

03　单路交错式三相三线制三电平VIENNA：

● 后级DCDC拓扑

01　两组交错式并联二电平全桥LLC：

02　三电平全桥移相ZVS：

03　三电平全桥LLC：

04　两组交错式并联二电平全桥移相ZVZCS：

从上述内容可以看出，SiC二极管一般应用于直流充电桩的充电模块产品中，作为VIENNA PFC的高频二极管和DC-DC次级整流二极管。

二、选择

01　前级PFC选择
从经济角度来看，全SiC 的VIENNA PFC方案，成本仍较高，现阶段不是一个合理的选择；传统前级PFC方案中由于1200V Si的快恢复二极管特性较差，可以考虑用反向恢复特性更好的SiC二极管替换，与Si MOSFET配合使用，可同时降低高频二极管与Si MOSFET的温升，提升VIENNA PFC的性能；
02　后级DC/DC选择
■ 对于移相全桥技术方案的DC/DC变换器，由于次级整流二极管存在反向恢复的工况，无论是1200V还是650V规格，应用SiC二极管均可大大优化整流二极管的关断损耗，提升DC/DC的性能。
■ 对于LLC技术方案的DC/DC变换器，由于输出整流二极管开关状态较优，在输出拓扑串联的方案，用600/650V超快恢复二极管即可满足损耗/效率的要求；对于输出并联的方案，由于1200V的Si的快恢复二极管特性较差、导通压降也较高，选用性能更优的SiC二极管进行替换后，在通态损耗和开关损耗上均有提升，可提高DC/DC的性能。（如附录1所示）

三、附录：

　　两电平全SiC LLC变换器效率测试：

　　● 测试目的：
评估碳化硅二极管在两电平全SiC LLC变换器中应用；
● 测试设备：
PA5000H 功率分析仪；可编程交流电源；干式电阻负载柜；
● 测试平台：
两电平全SiC LLC变换器测试平台；
● 开关频率：
150kHz-400kHz；
● 测试条件：
输入电压800VDC，输出电压750VDC，工作温度25℃；
● 应用器件：
G5S12030B（1200V/30A SiC二极管双管并联）；
● 电路原理：