12寸SiC开始量产？最高5000V

去年，我们报道了12英寸的碳化硅器件技术（.点这里.），最近他们宣布要量产了。该技术采用硅片，碳化硅外延成本仅增220多元。

12寸碳化硅器件将量产

外延成本仅增加223元

6月9日，Semefab UK官网宣布了他们的2022年战略——即将以Semefab UK 和 Questsemi Australia品牌，制造SiC SBD和IGBT器件功率产品。

而他们提供的第一个产品将是采用澳大利亚格里菲斯大学专利技术的 SiC SBD，阻断电压可扩展到 650V 至 5000V，初始产品组合将为TO247 封装或晶圆级裸芯片。

2013 年 5 月，格里菲斯大学的昆士兰微纳米技术设施 (QMF) 和SPTS Technologies就宣布在12英寸的硅片上成功外延生长 3C-SiC薄膜。

他们用3C-SiC技术开发的第一款产品是氮化镓基LED发光器件。其3C-SiC 的平均厚度为 51nm，整个晶圆的标准偏差为 0.3nm，实现了 1% 左右的 SiC 薄膜厚度均匀性。

为了3C-SiC薄膜技术，QMF 和 SPTS还联合开发了热壁垂直低压化学气相沉积 (LPCVD)反应器，每次运行最多可容纳 50 × 300 mm的硅晶片，LPCVD反应器的典型3C-SiC生长速率达到0.8纳米/周期。

2018年他们通过3C-SiC技术开发了MENS传感器件。2020年他们已经推出了1.7kV及以上电压的碳化硅肖特基二极管。

2021年6月，他们宣布获得130万美元（约831万人民币）投资，在QMF 建立一个试点生产设施，以帮助 Questsemi公司，将这项技术用于批量生产 SiC 肖特基二极管。

格里菲斯大学表示，这项碳化硅技术有3个优势：

1、由于制造过程时间短，定制产品可在几周内出货。

2、二极管的价格极具吸引力，2013年时他们估计，其新型 SiC 硅涂层工艺将使硅晶片的成本增加不超过25-35美元（最高约223元人民币）。

3、通过均质电流肖特基技术，其SiC器件可提供非常高的浪涌电流性能，而且其产品设计可以很容易改变，以满足客户对正向电压和电流额定值的要求。