3300V碳化硅SiC MOS芯片选型表

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提供以SiC MOS芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案,

适用于:新能源汽车、电机驱动、充电桩、风能逆变、光伏逆变、工业电源、PD快充等领域。

 

SiC MOS芯片

1. 采用第三代芯片技术,功率密度可提高20%;

2. 实现电压650V-3300V,电流5A-150A SiC MOS量产供货。

 

 

TO-247-4L
Model Name Package  Voltage  Ron Temperature Range Status  Datasheet
ASC20N3300MT4 TO-247-4L 3300V 250mohm -40~150°C Product ASC20N3300MT4.pdf

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