1200V碳化硅SiC MOS芯片选型表

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提供以SiC MOS芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案,

适用于:新能源汽车、电机驱动、充电桩、风能逆变、光伏逆变、工业电源、PD快充等领域。

 

SiC MOS芯片

1. 采用第三代芯片技术,功率密度可提高20%;

2. 实现电压650V-3300V,电流5A-150A SiC MOS量产供货。

 

 

TO-247-3L TO-247-4L DFN88
Model Name   Package      Voltage       Ron     Temperature Range Status Datasheet
ASC100N1200MT3 TO-247-3L 1200V 16mohm -40~150°C Product ASC100N1200MT3.pdf
ASC60N1200MT3 45mohm -40~150°C Product ASC60N1200MT3.pdf
ASC30N1200MT3 80mohm -40~150°C Product ASC30N1200MT3.pdf
ASC100N1200MT4 TO-247-4L 16mohm -40~150°C Product ASC100N1200MT4.pdf
ASC60N1200MT4 45mohm -40~150°C Product ASC60N1200MT4.pdf
ASC30N1200MT4 80mohm -40~150°C Product ASC30N1200MT4.pdf
ASR50N1200MD88 DFN8*8 50mohm -40~150°C Product ASR50N1200MD88.pdf
 ASR160N1200D88 160mohm -40~150°C Product ASR160N1200D88.pdf

 

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