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    新动向 | 爱仕特内绝缘型SiC MOSFET，为高效能应用提供新选项

    分类:未分类 406 0
    引言

    TO-247-4封装的SiC MOSFET因其高速开关性能、降低的开关损耗等优势而受到市场的广泛欢迎，这种封装通过Kelvin连接减少了电源线电感对栅极驱动信号的影响，提供了设计灵活性并改善了热性能，适用于高端服务器电源、太阳能逆变器、UPS电源、电机驱动、储能和充电桩等多种应用领域，满足了市场对高效率和高功率密度解决方案的需求。目前爱仕特已量产21款TO-247-4封装的SiC MOSFET，电压覆盖650V—3300V。

    爱仕特始终秉承创新理念，近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸，通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能，背面散热器做了悬浮电位设计，减少了外部绝缘材料依赖，降低了材料老化导致的长期运行故障风险，增强了产品可靠性和耐用性。

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    ▲内绝缘型TO-247-4封装SiC MOSFET

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    ▲内绝缘型TO-247-4封装SiC MOSFET产品列表

    产品介绍

    01

    爱仕特内绝缘型

    SiC MOSFET的性能特点

    该产品搭载了爱仕特自研第三代SiC 芯片，具有开关速度快、抗干扰能力强和高可靠性等特点。该产品尺寸为40*15.9*5mm，与常规TO-247-4封装尺寸一致，可实现快速替换。

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    ▲内绝缘型TO-247-4封装尺寸

    高开关速度

    • SiC 材料的高电子迁移率，提升系统响应速度和动态性能

    高功率密度

    • 搭载第三代自研SiC 芯片，实现小尺寸下的大电流承受能力

    低寄生电感设计

    • 紧凑内部布局，降低功率回路中的寄生电感

    高抗干扰能力

    • 具有开尔文源极引脚，能够进一步降低器件的开关损耗，提高模块的抗干扰能力

    高温稳定性

    • 宽温度范围下（-55°C至175°C）的稳定运行，适应各种环境条件

    02

    与常规TO-247封装的区别

    结构不同：内置绝缘陶瓷片

    常规TO-247-4封装框架和漏极直接相连，非绝缘特性使得应用的时候必须外部安装绝缘片，将器件与散热器进行电气隔离。

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    ▲常规TO-247-4封装结构示意图

    而内绝缘型TO-247-4封装使用特殊的封装工艺将承载芯片的框架与MOSFET背部散热片相互隔离，最终在MOSFET的漏极与其背部散热片之间实现电气隔离。

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    ▲内绝缘型TO-247-4封装结构示意图

    总体热阻不同：减少了绝缘垫的热阻

    常规TO-247封装SiC MOSFET的总体热阻＝芯片热阻+芯片下焊料的热阻+铜支架的热阻+导热硅脂的热阻+绝缘垫的热阻+散热器的热阻。

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    ▲常规TO-247-4封装热阻示意图

    内绝缘型TO-247-4封装减少了绝缘垫的热阻，直接安装到散热器使用，缓冲了功率MOSFET封装中芯片和铜框架的热膨胀系数的差异，显著减少相邻层之间的热失配，提高了功率循环耐受性，进而降低器件结温。

    安装工艺不同：简化生产流程

    简化的内绝缘封装设计不仅提高了生产效率，还降低了热阻，为电力系统的高性能运行提供了新的选择。

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    ▲TO-247-4封装SiC MOSFET安装示意图

    03

    在应用中的对比优势

    降低成本

    • 无需增加MOSFET和散热片之间的绝缘片及固定螺丝上的绝缘粒，节约了材料成本、物料管理成本和生产成本

    简化生产装配

    • 省略器件与散热器之间的绝缘垫片，简化生产流程

    • 解决不同作用的MOSFET共用一个散热片的绝缘问题
    提高可靠性

    • 避免因绝缘材料高温或破裂而产生的可靠性问题

    • 铜框架和SiC 芯片的热膨胀系数差异较大，内置陶瓷绝缘片可以提高功率循环的可靠性
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