大功率igbt和mos管的区别

1、工作原理不同：IGBT是一种半导体控制元件，其工作原理是由极化的晶体管电容进行控制，而MOS管是一种电子晶体管，其工作原理是由极化的金属氧化物电容进行控制。

2、功率规格不同：IGBT在小功率范围内，其功率规格可以达到千瓦，而MOS管则只能达到数百瓦以内的功率规格。

3、控制特性不同：IGBT的控制特性要比MOS管好得多，IGBT可以更加精确地控制电流，并且具有更高的稳定性，而MOS管则不太好控制，容易受到外界因素的影响。