MOS管和场效应管有什么关系?对于初学者来说,这两个名字常常让人混淆,MOS管到底是不是场效应管?其实根据这几种元件的包含关系,说MOS管是场效应管是没问题的,但是反过来说就不对了,也就是说场效应管不单单包括MOS管,还有其他的元件。
实际上场效应管可以分为结型管( (Junction Field-Effect Transistor,J F E T))和MOS管( metal-oxide semiconductor F E T,简称MOS管),相对于MOS管来说,结型管使用频率很低,所以提到结型管的频率也比较低,MOS管和场效应管倒经常提到,给人一种误解,以为这是一种元件。

实际上MOS管又可分为增强型和耗尽型,这两种元件工作原理略有不同,增强型管在栅极(G)加上正向电压时漏极(D)和源极(S)才能导通,而耗尽型即使栅极(G)没加正电压,漏极(D)和源极(S)也是导通的。

其实到这分类还没结束,每种类型的管子又可分为N型管和P型管,所以说场效应管下面可以分为6种类型的管子,分别是N沟道结型场效应管、P沟道结型场效应管、N沟道增强型场效应管、P沟道增强型场效应管、N沟道耗尽型场效应管和P沟道耗尽型场效应管。

每种元件在电路图中的电路符号也不相同,例如下面这张图片列出来的是两种结型管的电路符号,2号管脚的箭头指向管子的为N沟道结型场效应管,往外指的是P沟道结型场效应管。

MOS管和结型管电路符号相差的比较大,也很容易区分出来,例如下面这个图片中的电路符号和上面那张图中的电路符号很明显有很大差别。其实下图是N沟道耗尽型场效应管和P沟道耗尽型场效应管,同样箭头指向管子的为N型,往外指的是P型管。
同样N沟道增强型场效应管与P沟道增强型场效应管区分也是根据箭头的指向,同样是指向管子的是N型管,往外指的是P型管。

增强型场效应管(包括N型管和P型管)和耗尽型场效应管(包括N型管和P型管)电路符号就很接近了,二者的差别是符号中有一个是用虚线表示的,一个是用实线表示的。虚线表示的是增强型场效应管,实线表示的是耗尽型场效应管。

MOS管和场效应管区别
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 – 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管(FET)分为MOS场效应管(MOSFET)和结型场效应管(JFET)。现在主要使用MOS场效应管,即通常所称的MOS管。
MOS是金属(Metal)-氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor)的简称,即栅-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction,即“结”,表示PN结的结。FET代表Field Effect Transistor,即场效应管。
一、主体不同
场效应管:V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
MOS管:金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
二、特性不同
场效应管:不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
MOS管:主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。
三、规则不同
场效应管:将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
MOS管:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。
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