MOSFET _ 深圳市亿伟世科技

功率MOSFET高频开关应用：从栅极电荷特性到动态损耗抑制的全维度解析

2025/04/18 1396

一、MOSFET开关基础知识 一般来讲,三极管是电流驱动的,MOSFET是电压驱动的,因为我是用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用MOSFET做,这样也可以节省系统功耗吧,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端...

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功率MOSFET器件物理与动态特性：从双极型载流子输运到电导调制效应的多物理场建模

2025/04/18 1710

功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）...

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功率MOSFET驱动电路设计：从栅极电荷特性到高速开关损耗优化

2025/04/18 1572

功率MOSFET驱动电路 功率MOSFET是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。但功率MOSFET的极间电容较大，输入电容CISS、输出电容COSS和反馈电容CRS...

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功率半导体器件对比：MOSFET与IGBT的开关特性、损耗机制与应用场景分析

2025/04/18 2327

在选用功率开关器件时，并没有万全的解决方案，电路拓扑、工作频率、环境温度和物理尺寸，所有这些约束都会在做出最佳选择时起着作用。 在具有最小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中，MOSFET由于具有较快的开关速度和较...

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SiC MOSFET vs 硅基高压MOSFET性能对比：动态导通电阻与开关损耗的失效边界分析

2024/04/15 2216

高压MOSFET原理与性能分析 在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞 争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随...

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mos管是什么及工作原理？

2022/02/15 1770

MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理...

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IGBT与MOS （mosfet）的区别有哪些？

2022/02/15 2781

IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT；多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6...

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功率MOSFET参数介绍

2022/02/15 2371

功率MOSFET参数介绍 第一部分 最大额定参数 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际...

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MOSFET简介概述

2022/02/15 954

  MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体...

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MOSFET应用领域有哪些？

2022/02/15 2520

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。    MO...

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