IGB _ 深圳市亿伟世科技

  • IGBT与MOS (mosfet)的区别有哪些?

    2782

    IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结,即NPNP结构,在原理上是MOS推动的P型BJT;多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此IGBT可以做到很高电压(目前最大6...

    查看全文
展开更多

购物车

X

浏览足迹

X