2CG010BBC13N，双通道全集成栅极驱动模块_碳化硅模块驱动板

2CG010BBC13N，双通道全集成栅极驱动模块，内置隔离 DC‑DC 电源，半桥驱动架构，适配 SiC MOSFET 与 IGBT 功率器件，面向工业变流器、功率调节器。

一、基础关键参数

1. 1、供电与输出驱动电压
   

• DC‑DC 输入电压 VIN：13.5‑26.4V；逻辑信号输入支持 3.3V / 5V
  
• 栅极输出：+18V 开通 /‑4V 关断；单通道 DC‑DC 输出功率 3.5W
  
• 峰值栅极电流 IGPEAK=43A；最大支持开关频率 200kHz
  
• 可驱动最大栅电荷：370nC@200kHz，6000nC@30kHz
  

2. 2、隔离参数
   

• 原边‑副边隔离耐压 AC5000V；通道 CH1‑CH2 之间隔离耐压 AC4000V
  
• 原副边电气间隙 14mm，爬电距离 16mm；通道间间隙 7mm，爬电 12mm
  
• 共模瞬态抗扰 CMTI 典型70kV/μs，寄生电容约 12pF，抗共模噪声能力强
  

3. 3、时序与保护参数
   

• 开通 / 关断传播延迟典型 100ns；半桥模式死区时间 4.1μs
  
• 去饱和 DESAT 短路保护：检测阈值 6.35V，滤波 400ns，响应 450ns
  
• 米勒钳位 Miller Clamp；软关断（软关断时长 4μs）；欠压锁存 UVLO
  
• DC‑DC 具备过温保护（保护点 120‑150℃）、过载保护，故障 ALM 报警输出，自动重启 110ms
  
• 工作温度‑40~+85℃（高温降频）；带绝缘防潮涂层；通过 UL、IEC 增强绝缘认证
  

二、器件核心特点

1. 1、ALL‑IN‑ONE 一体化方案，隔离 DC‑DC + 双通道栅驱全部内置，外部无需额外隔离电源，大幅简化半桥系统 BOM。
   
2. 2、低寄生电容、70kV/μs 高 CMTI，抑制 SiC 高频带来的共模噪声，避免功率管误导通。
   
3. 3、全套完备保护：DESAT 短路保护、米勒钳位、软关断、UVLO 欠压、过温、过载、故障告警输出，半桥模式可配置死区。
   
4. 4、同系列多版本可选：+15V/-10V、+15V/-15V、+18V/-4V、+18V/-2V，适配不同 SiC、IGBT 驱动电压需求。
   
5. 5、满足 UL508、UL1741、IEC60664‑1 等增强绝缘标准，适合工业安规要求严苛的设备。
   

三、典型应用场景

• 1、工业逆变器、功率调节器
  
• 2、SiC MOS / IGBT 半桥功率变换单元