模拟前端(AFE)位于电池与控制器之间,负责采集电芯电压、温度、电流等模拟量。现今各家IC厂推出的AFE芯片性能越来越好,用起来非常方便,本文并非提倡用分立器件搭建BMS,只是以分立方案为对照,学习AFE的基本原理。
一、什么是AFE?
AFE全称模拟前端,是电池管理系统中直接与电芯相连的模拟采集电路。其核心任务是将串联电芯的单体电压、温度以及电池包电流等模拟信号转换为数字信号,并提供被动均衡驱动。集成AFE内部通常包含多路选通、电平移位、差分放大、模数转换、基准源、均衡驱动和通信接口。MCU通过SPI、I2C或isoSPI读取AFE数据,进而完成保护、状态估计和控制。AFE的采集精度直接影响SoC估算、过充过放保护阈值和均衡效果。
二、分立式工作原理
以8串电芯采样为例。多串电池堆叠后,高位电芯的正负极电位远高于系统地,不能直接送入MCU的ADC。分立方案用两颗MAX14752八选一模拟开关错位连接。如图示

MAX14752支持±36V双电源或+72V单电源,能承受多串电池的共模电压。芯片A的公共端分别接各节电芯正极,芯片B的公共端接对应电芯负极,S0、S1、S2三个信号同步切换通道。每次选通时,仅有一串电芯的正负极被接入后级,两颗芯片输出之间的电压差即为该节单体电压。
后级采用AD629差动放大器。AD629共模输入范围宽,在±12V供电下可承受数十伏共模电压。其固定增益为1,输出等于差模电压加REF引脚电压。
单体电芯电压范围0至5V,而MCU的ADC输入通常为0至3.3V,因此需先将差模信号缩小,再在REF引脚施加平移电压,抬高运放的基准电压,使电芯0V时输出接近0V,5V时不超过3.3V。如图示

MCU轮询控制S0至S2,逐节采集并完成AD转换。该方案需自行计算电阻比例、校准增益和零偏,开关导通电阻、运放失调、基准温漂都会影响最终精度。
三、集成式工作原理
以BQ76925为例。它把多路选通、电平移位、缩放放大器、基准源和均衡FET集成在单芯片内。电芯电压先经内部MUX选通,电平移位单元将带有高压共模的差分信号转换为以地为参考的单端信号,缩放放大器再将其压缩至MCU的ADC范围,从VCOUT引脚输出。MCU通过I2C选择通道并读取电压。BQ76925提供低漂移基准,精度±0.1%,温漂±40ppm/°C,还输出校准电压用于标定MCU的ADC增益和零偏。每节电芯通道的增益和零偏校正参数在出厂时写入EPROM,终端产品无需逐板标定。
均衡方面,BQ76925内部集成均衡FET,由主机通过I2C控制,均衡电流由外部串联电阻设定,最大50mA。若需更大电流,可选用BQ769x2系列驱动外部MOSFET。更高集成度的AFE如ADBMS6832,内置ADC、isoSPI和可堆叠架构,最多测量18串电芯,寿命总测量误差小于2mV,支持双向断线保护和休眠模式。集成AFE的核心优势在于精密匹配和出厂校正,内部电阻比例匹配直接决定共模抑制比和增益误差,这些误差在生产阶段被逐通道测量并补偿。理解分立方案中各功能单元的衔接关系,有助于准确把握集成AFE的性能边界与设计约束。
如您对我们的产品感兴趣,欢迎联系
我们将为您提供高效、贴心的解决方案!
咨询电话:135 1009 9916(微信同号)
想深入了解碳化硅功率器件产品知识?点击→「碳化硅(SiC)课堂」获取详情!







