在电源管理的功率路径中，经常会用到肖特基进行防止反接或者防止电流倒灌。但是由于肖特基的工艺特性决定的压降以及损耗较高，就会引起以下几个问题：
第一个是压降大，会引起实际工作电压的下降，尤其在单节锂电供电场景尤为明显；
第二个问题是损耗高带来的热处理问题，当电流较大时功率损耗导致的温升处理起来尤为困难；
第三个问题是肖特基并联带来的失效风险，由于肖特基的压降是负温度特性，即温度越高压降越低，那么在并联场景中压降低的走电流大，带来的温升高导致压降越低，那么走电流越大，如此恶性循环会有肖特基失效风险。
第四个问题是体积问题，由于以上的种种原因，肖特基要走大电流就得加散热，或者本身体积要变大，在某些特殊应用是不合适的。
在如此多的痛点之上就诞生了两大类的替代产品，第一种是用于开关电源中的高频同步整流；第二种是用于直流电源路径中的理想二极管。在此我们简单梳理下理想二极管的基础知识。
理想二极管，顾名思义就是压降为零的二极管，但是只能存在于理想之中，目前常用的方案是用P-MOSFET或N-MOSFET加驱动的方式来实现超低压降的正向导通，那么为了方便驱动，PMOS往往放在正端，而NMOS往往放在负端，如下图所示：
在上图中，两种方式都可以明显的降低导通路径的压降，也可以实现反接的保护。但是也有明显的缺点。PMOS方案其一是不能实现电流倒灌的保护，其二是PMOS体积较大，选择困难；NMOS方案的缺点其一是不能实现电流倒灌的保护，其二是地的连续性被切断。
基于上述逻辑中的缺点，国内芯片公司都在积极创新，研发了不同规格的全功能的理想二极管，既可以实现反接保护，同时也可以实现防止电流倒灌的保护。如下是基于无锡明芯微电子的理想二极管MX5050T 控制器的基本电路原理。
当输入反接时，芯片内部不工作，那么U2处于关断状态，此时可以实现输入反接保护；当输出比输入高，或者输入故障时，MX5050T会快速关断U2实现电流倒灌的保护。
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