英飞凌10月27日宣布，将在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。作为该项目的一部分，英飞凌计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂的现有洁净室设施投入约11亿欧元。该基地计划2027年底投产。
300mm（12 英寸）的单片晶圆芯片产出是 200mm（8 英寸）晶圆的 2.3 倍。更大面积的原料可助力生产工艺改进和效率提升。
作为该计划的一部分，英飞凌计划在 2034 年前投资约 11 亿欧元，用于升级其位于奥地利 Villach 的现有洁净室设施。该工厂计划于 2027 年底投产。
欧盟委员会已批准向英飞凌的 Villach 扩产计划授予 3.19 亿欧元的国家援助，奥地利经济部门预计将在规定的期限内正式履行这项资金承诺。
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系
我们将为您提供高效、贴心的解决方案！
咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
↓ ↓ 点击图片免费领取产品规格书 ↓ ↓ 
想深入了解碳化硅功率器件产品知识？点击→「碳化硅（SiC）课堂」获取详情！
