摘 要：硅基(Si)绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolartransistor，IGBT)和碳化硅基(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)并联组成的Si/SiC混合器件，已被证实具有SiCMOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力、低成本的优势。然而，目前Si/SiC混合器件性能提升的研究并未兼顾效率和可靠性，且存在调控手段单一的劣势。基于此，该文详细分析不同负载电流下驱动电压、开关时序等调控参数对Si/SiC混合器件损耗和电应力的影响，提出一种考虑驱动电压与开关时序协同调控的Si/SiC混合器件开关策略。所提开关策略通过不同电流区间采用驱动电压与开关时序相配合的方式，在保障Si/SiC混合器件可靠性的前提下，提高其运行效率。该文搭建双脉冲测试实验平台与稳态参数测量实验平台对所提开关策略进行验证。实验结果表明，相较于传统开关策略，Si/SiC混合器件采用本文所提开关策略在开通损耗、关断损耗以及导通损耗方面分别减少13%、21%和32%。
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