摘 要：为了保障碳化硅(silicon carbide，SiC)在发生短路故障时可安全可靠的关断，需在掌握其短路特性基本规律的前提下，针对SiC短路耐受时间较短、短路下器件漏源极电压拐点不明显等特征，展开去饱和保护电路(desaturation faultprotection，DESAT)电路中关键参数的研究，并制定其工程化设计的参考标准。在此基础上，文中进一步提出基于氮化镓(gallium nitride，GaN)的高速、低传输延时的DESAT 短路保护电路，短路保护电路的驱动动作延时仅为常规基于硅器件DESAT 电路的23.2%。所提出的氮化镓DESAT 电路为 SiC MOSFET 短路保护电路的更优越的实现方案。
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系
我们将为您提供高效、贴心的解决方案！
咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
↓ ↓ 点击图片免费领取产品规格书 ↓ ↓ 
想深入了解碳化硅功率器件产品知识？点击→「碳化硅（SiC）课堂」获取详情！
