摘 要：SiC MOSFET因其高击穿电压、高开关速度、低导通损耗等性能优势而被广泛应用于各类电力电子变换器中。然而，由于其短路耐受时间仅为2~7μs，且随母线电压升高而缩短，快速可靠的短路保护电路已成为其推广应用的关键技术之一。为应对不同母线电压下的SiC MOSFET 短路故障，文中提出一种基于漏源电压积分的自适应快速短路保护方法(drain-source voltage integration-based adaptive fastshort-circuit protection method，DSVI-AFSCPM)，研究所提出的DSVI-AFSCPM 在硬开关短路(hard switching fault,HSF)和负载短路(fault under load，FUL)条件下的保护性能，进而研究不同母线电压对DSVI-AFSCPM 的作用机理。同时，探究SiC MOSFET 工作温度对其响应速度的影响。最后，搭建实验平台，对所提出的DSVI-AFSCPM在发生硬开关短路和负载短路时不同母线电压、不同工作温度下的保护性能进行实验测试。实验结果表明，所提出的DSVI-AFSCPM在不同母线电压下具有良好的保护速度自适应性，即母线电压越高，短路保护速度越快，并且其响应速度受SiC MOSFET工作温度影响较小，两种短路工况下工作温度从25℃变化到125℃，短路保护时间变化不超过90ns。因此，该文为SiC MOSFET 在不同母线电压下的可靠使用提供一定技术支撑。
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